Projekt
 

 
Galvanische Abscheidung von Invar für MEMS-Anwendungen
 
In mikrosystemtechnischen Komponenten kommen aus funktionellen Gründen Vielfachschichten sehr unterschiedlicher Materialien zum Einsatz. Die Anforderungen an diese neue Materialien erfordern ein besseres Verständnis des Zusammenhangs zwischen den Herstellungsverfahren und den daraus resultierenden Eigenschaften. Mechanische Spannungen im Schichtsystemen, die durch unterschiedliche Ausdehnungskoeffizienten der verschiedenen Materialien und durch herstellungsbedingte innere Spannungen hervorgerufen werden, schränken die Funktionsfähigkeit der mikrosystemtechnischen Komponenten ein.
Da Silizium als Substratmaterial in der Mikrosystemtechnik weit verbreitet ist und einen niedrigen thermischen Ausdehnungskoeffizienten besitzt, ergibt sich die Forderung nach Materialien mit ähnlichen Werten für den Ausdehnungskoeffizienten. Dadurch ist der thermische Mismatch vermeidbar. Invar (64 Masse% Fe, 36 Masse% Ni) besitzt einen niedrigen Ausdehnungskoeffizienten. Deshalb ist besonders für die Anwendungen in der Mikrosystemtechnik geeignet. Die mit dem Verfahren Mikrogalvanik elektrochemisch hergestellten Invar-Schichten werden rukturell (EDX und XRD), thermomechanisch (Tencor-Spannungsmeßgerät) und mechanisch (Nanoindentationstechnik) untersucht.
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